由于小于10纳米的芯片制造需要巨大的资本支出，许多厂商都放慢了投资步伐，而出于成本原因，无晶圆厂芯片制造商坚持使用14/12纳米的产品。业内称，这种情况可能会为芯片产业的发展翻开新的一页。

开发小于10纳米芯片的成本非常高。海思半导体公司最近表示，将花费至少3亿美元开发使用7纳米工艺技术制造的新一代SoC芯片。

消息人士指出，无晶圆厂芯片开发商意识到，他们必须在10纳米以下的芯片开发上投入巨资，但担心如此巨大的投资是否会有回报。

高通公司和联发科并不专注于开发业界首个7纳米SoC芯片，而是通过推出各自的新14/12纳米解决方案来增强他们的高端中端产品。因此行业对于目前是否有必要推进到7纳米制造节点提出了一些疑问。

消息称，高通和联发科都将7纳米芯片解决方案的发布时间从之前计划的2018年推迟到2019年。尽管如此，两家主要智能手机SoC提供商可能正在竞相准备各自的第一代7纳米芯片的5G解决方案。

分析认为，高通公司和联发科目前都专注于增强中高档解决方案，这可能符合他们优先满足实际需求的战略。在5G设备准备商业化之前，关注中端市场可能是他们目前的合适策略。

在纯代工厂中，目前只有台积电和三星电子公布了其7nm节点技术路线图。联华电子(UMC)已将其投资重点转移至成熟和专业工艺节点，而格罗方德(Globalfoundries)已决定将其7nm FinFET计划进行搁置。

格罗方德表示，该公司“正在重塑其技术组合，从而更专注于为高增长市场的客户提供差异化产品”。该公司计划转移开发资源，从而使其14/12nm FinFET平台更加满足这些客户的需求。

联华电子则重申了其提高运营盈利能力的努力。联华电子减少了对进入先进节点制程芯片竞赛的关注，转为增强其现有工艺产品组合，特别是专业工艺技术。